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锐华电子（香港）有限公司
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产品分类
场效应管MOSFET(2)电容器(28)电阻器(3)电感器(4)传感器(2)光电子/光纤/激光(2)
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*铝电解电容400V22UF 13X21
型号/规格：
400V 22uf
品牌/商标：
国产
*类别：
无铅*型
安装方式：
直插式
包装方式：
散装
产品主要用途：
普通/民用电子信息产品
引出线类型：
径向引线型
特征：
圆柱体型
标称容量范围：
22uf
额定电压范围：
400V
温度系数范围：
105℃
相关产品
产品信息
①电容的功能和表示方法。
由两个金属*，中间夹有*缘介质构成。电容的特性主要是隔直流通交流，因此多用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。电容在电路中用“C”加数字表示，比如C8，表示在电路中编号为8的电容。
②电容的分类。
电容按介质不同分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，*固体介质电容电解电容。按*性分为：有*性电容和无*性电容。按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。
③电容的容量。
电容容量表示能贮存电能的大小。电容对交流信号的阻碍作用称为容*，容*与交流信号的频率和电容量有关，容*XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。
④电容的容量单位和耐压。
电容的基本单位是F（法），其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。由于单位F 的容量太大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。换算关系：1F＝1000000μF，1μF=1000nF=1000000pF。
每一个电容都有它的耐压值，用V表示。一般无*电容的标称耐压值比较高有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等。有*电容的耐压相对比较低，一般标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。
⑤电容的标注方法和容量误差。
电容的标注方法分为：直标法、色标法和数标法。对于体积比较大的电容，多采用直标法。如果是0.005，表示0.005uF=5nF。如果是5n，那就表示的是5nF。
数标法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示*数字，第三位数字是10的多少次方。如：102表示10x10x10 PF=1000PF，203表示20x10x10x10 PF。
色标法，沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，*、二种环表示电容量，第三种颜色表示*数字后*的个数（单位为pF）。颜色代表的数值为：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。
电容容量误差用*号F、G、J、K、L、M来表示，允许误差分别对应为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。
⑥电容的正负*区分和测量。
电容上面有标志的黑块为负*。在PCB上电容位置上有两个半圆，涂颜色的半圆对应的引脚为负*。也有用引脚长短来区别正负*长脚为正，短脚为负。
当我们不知道电容的正负*时，可以用万用表来测量。电容两*之间的介质并不是*对的*缘体，它的电阻也不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两*之间的电阻叫做*缘电阻或漏电电阻。只有电解电容的正*接电源正（电阻挡时的黑表笔），负端接电源负（电阻挡时的红表笔）时，电解电容的漏电流才小（漏电阻大）。反之，则电解电容的漏电流增加（漏电阻减小）。这样，我们先假定某*为“+”*，万用表选用R*100或R*1K挡，然后将假定的“+”*与万用表的黑表笔相接，另一电*与万用表的红表笔相接，记下表针停止的刻度（表针靠左阻值大），对于数字万用表来说可以直接读出读数。然后将电容放电（两根引线碰一下），然后两只表笔对调，重新进行测量。两次测量中，表针*后停留的位置靠左（或阻值大）的那次，黑表笔接的就是电解电容的正*。
⑦电容使用的一些经验及来四个误区。
一些经验：在电路中不能确定线路的*性时，建议使用无*电解电容。通过电解电容的纹波电流不能*过其充许范围。如*过了规定值，需选用耐大纹波电流的电容。电容的工作电压不能*过其额定电压。在进行电容的焊接的时候，电烙铁应与电容的塑料外壳保持*的距离，以*过热造成塑料套管破裂。并且焊接时间不应*过10秒，焊接温度不应*过260摄氏度。
四个误区：
●电容容量越大越好。
很多人在电容的替换中往往爱用大容量的电容。我们知道虽然电容越大，为IC提供的电流补偿的能力越强。且不说电容容量的*带来的体积变大，增加成本的同时还影响空气流动和散热。关键在于电容上存在寄生电感，电容放电回路会在某个频点上发生谐振。在谐振点，电容的阻*小。因此放电回路的阻**小，补充能量的效果也*好。但当频率*过谐振点时，放电回路的阻*开始增加，电容提供电流能力便开始下降。电容的容值越大，谐振频率越低，电容能*补偿电流的频率范围也越小。从*电容提供高频电流的能力的角度来说，电容越大越好的观点是错误的，一般的电路设计中都有一个参考值的。
●同样容量的电容，并联越多的小电容越好，
耐压值、耐温值、容值、*R(等效电阻)等是电容的几个重要参数，对于*R自然是越低越好。*R与电容的容量、频率、电压、温度等都有关系。当电压固定时候，容量越大，*R越低。在板卡设计中采用多个小电容并连多是出与PCB空间的限制，这样有的人就认为，越多的并联小电阻，*R越低，效果越好。理论上是如此，但是要考虑到电容接脚焊点的阻*，采用多个小电容并联，效果并不*突出。
●*R越低，效果越好。
结合我们上面的*的供电电路来说，对于输入电容来说，输入电容的容量要大一点。相对容量的要求，对*R的要求可以适当的降低。因为输入电容主要是耐压，其次是吸收MOSFET的开关脉冲。对于输出电容来说，耐压的要求和容量可以适当的降低一点。*R的要求则高一点，因为这里要*的是*的电流通过量。但这里要注意的是*R并不是越低越好，低*R电容会引起开关电路振荡。而消振电路复杂同时会导致成本的增加。板卡设计中，这里一般有一个参考值，此作为元件选用参数，避免消振电路而导致成本的增加。
由两个金属*，中间夹有*缘介质构成。电容的特性主要是隔直流通交流，因此多用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。电容在电路中用“C”加数字表示，比如C8，表示在电路中编号为8的电容。
②电容的分类。
电容按介质不同分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，*固体介质电容电解电容。按*性分为：有*性电容和无*性电容。按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。
③电容的容量。
电容容量表示能贮存电能的大小。电容对交流信号的阻碍作用称为容*，容*与交流信号的频率和电容量有关，容*XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。
④电容的容量单位和耐压。
电容的基本单位是F（法），其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。由于单位F 的容量太大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。换算关系：1F＝1000000μF，1μF=1000nF=1000000pF。
每一个电容都有它的耐压值，用V表示。一般无*电容的标称耐压值比较高有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等。有*电容的耐压相对比较低，一般标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。
⑤电容的标注方法和容量误差。
电容的标注方法分为：直标法、色标法和数标法。对于体积比较大的电容，多采用直标法。如果是0.005，表示0.005uF=5nF。如果是5n，那就表示的是5nF。
数标法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示*数字，第三位数字是10的多少次方。如：102表示10x10x10 PF=1000PF，203表示20x10x10x10 PF。
色标法，沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，*、二种环表示电容量，第三种颜色表示*数字后*的个数（单位为pF）。颜色代表的数值为：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。
电容容量误差用*号F、G、J、K、L、M来表示，允许误差分别对应为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。
⑥电容的正负*区分和测量。
电容上面有标志的黑块为负*。在PCB上电容位置上有两个半圆，涂颜色的半圆对应的引脚为负*。也有用引脚长短来区别正负*长脚为正，短脚为负。
当我们不知道电容的正负*时，可以用万用表来测量。电容两*之间的介质并不是*对的*缘体，它的电阻也不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两*之间的电阻叫做*缘电阻或漏电电阻。只有电解电容的正*接电源正（电阻挡时的黑表笔），负端接电源负（电阻挡时的红表笔）时，电解电容的漏电流才小（漏电阻大）。反之，则电解电容的漏电流增加（漏电阻减小）。这样，我们先假定某*为“+”*，万用表选用R*100或R*1K挡，然后将假定的“+”*与万用表的黑表笔相接，另一电*与万用表的红表笔相接，记下表针停止的刻度（表针靠左阻值大），对于数字万用表来说可以直接读出读数。然后将电容放电（两根引线碰一下），然后两只表笔对调，重新进行测量。两次测量中，表针*后停留的位置靠左（或阻值大）的那次，黑表笔接的就是电解电容的正*。
⑦电容使用的一些经验及来四个误区。
一些经验：在电路中不能确定线路的*性时，建议使用无*电解电容。通过电解电容的纹波电流不能*过其充许范围。如*过了规定值，需选用耐大纹波电流的电容。电容的工作电压不能*过其额定电压。在进行电容的焊接的时候，电烙铁应与电容的塑料外壳保持*的距离，以*过热造成塑料套管破裂。并且焊接时间不应*过10秒，焊接温度不应*过260摄氏度。
四个误区：
●电容容量越大越好。
很多人在电容的替换中往往爱用大容量的电容。我们知道虽然电容越大，为IC提供的电流补偿的能力越强。且不说电容容量的*带来的体积变大，增加成本的同时还影响空气流动和散热。关键在于电容上存在寄生电感，电容放电回路会在某个频点上发生谐振。在谐振点，电容的阻*小。因此放电回路的阻**小，补充能量的效果也*好。但当频率*过谐振点时，放电回路的阻*开始增加，电容提供电流能力便开始下降。电容的容值越大，谐振频率越低，电容能*补偿电流的频率范围也越小。从*电容提供高频电流的能力的角度来说，电容越大越好的观点是错误的，一般的电路设计中都有一个参考值的。
●同样容量的电容，并联越多的小电容越好，
耐压值、耐温值、容值、*R(等效电阻)等是电容的几个重要参数，对于*R自然是越低越好。*R与电容的容量、频率、电压、温度等都有关系。当电压固定时候，容量越大，*R越低。在板卡设计中采用多个小电容并连多是出与PCB空间的限制，这样有的人就认为，越多的并联小电阻，*R越低，效果越好。理论上是如此，但是要考虑到电容接脚焊点的阻*，采用多个小电容并联，效果并不*突出。
●*R越低，效果越好。
结合我们上面的*的供电电路来说，对于输入电容来说，输入电容的容量要大一点。相对容量的要求，对*R的要求可以适当的降低。因为输入电容主要是耐压，其次是吸收MOSFET的开关脉冲。对于输出电容来说，耐压的要求和容量可以适当的降低一点。*R的要求则高一点，因为这里要*的是*的电流通过量。但这里要注意的是*R并不是越低越好，低*R电容会引起开关电路振荡。而消振电路复杂同时会导致成本的增加。板卡设计中，这里一般有一个参考值，此作为元件选用参数，避免消振电路而导致成本的增加。